性能参数
产品选型
文档下载
设计文件下载
目标应用
UM6012
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250 V
兼容3.3V，5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
符合RoSH标准: SOIC8 (S)
欠压锁定正向阈值5.5V
欠压锁定负向阈值5V
死区时间设定200ns
开通传输延时Ton=150ns
关断传输延时Toff =140ns
延迟匹配时间50ns
开启上升时间：50ns
关闭下降时间：40ns
输出级拉电流：1.2A
灌电流能力：1.5A
额定功率：0.625W
工作温度：-40~ 125℃
静电防护：>1.5KV (HBM)
封装类型：SOIC8
共 1 款产品
| Part number | Pre_driver | Vs(V) | Voltage (V) | Input logic | IO+/IO-(A) | DT(ns) | IBD | 5V LDO | 12V LDO | Channel num | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM6012 | 2N | 250 | 6-20 | HIN/LIN | +1.2A/-1.5A | 200 | -- | -- | -- | 1 | SOIC8 |
Copyright © 2024 广芯微电子（广州）股份有限公司 all rights reserved. 粤ICP备18069527号 网站支持：纵天科技
