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目标应用
UM6030
P/N MOS半桥式三相输出
最高工作电压可达40V
兼容3.3V, 5V 和15V输入逻辑
dv/dt耐受能力可达±50 V/ns
P/NMOS |VGS| 可达10V
内置5V/40mA LDO
内置过温保护功能
栅极驱动电压：5~40V
符合RoSH标准：QFN16
内置130ns 死区时间
开通传输延时Ton=80ns
关断传输延时Toff =30ns
高低侧延时匹配
欠压锁定正向阈值4.5V
欠压锁定负向阈值4.3V
拉电流能力：50mA
灌电流能力：300mA
工作温度：-40~ 125° C
静电防护：>2KV（HBM）
封装类型：QFN16
共 1 款产品
| Part number | Pre_driver | Vs(V) | Voltage (V) | Input logic | IO+/IO-(A) | DT(ns) | IBD | 5V LDO | 12 LDO | Channel num | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM6030 | 3P3N | 40 | 5-40 | HIN/LIN | +0.05A/-0.3A | 130 | / | √ | -- | 3 | QFN16 |
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